在LED的制備過程中，上游的襯底材料是決定LED顏色、亮度、壽命等性能指標(biāo)的主要因素。襯底材料表面的粗糙度、熱膨脹系數(shù)、熱傳導(dǎo)系數(shù)、極性的影響、表面的加工要求以及與外延材料間晶格間是否匹配，這些因素與高亮度LED的發(fā)光效率與穩(wěn)定性密切相關(guān)。因此，襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石，襯底材料的技術(shù)路線必然會(huì)影響整個(gè)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)路線，是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵。
目前半導(dǎo)體照明主要有三條技術(shù)路線，分別是以日本日亞化學(xué)為代表的藍(lán)寶石襯底LED技術(shù)路線、以美國(guó)CREE為代表的碳化硅襯底LED技術(shù)路線，以及以中國(guó)晶能光電為代表的硅襯底LED技術(shù)路線。2016年1月8日，南昌大學(xué)聯(lián)合晶能光電的江風(fēng)益團(tuán)隊(duì)“硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管”技術(shù)項(xiàng)目獲得2015年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)技術(shù)發(fā)明類唯一的一等獎(jiǎng)，LED業(yè)界中國(guó)芯的夢(mèng)想再次被激發(fā)。硅襯底技術(shù)項(xiàng)目的獲獎(jiǎng)，說明硅襯底已被國(guó)家證實(shí)可行，并已提升到國(guó)家戰(zhàn)略層面。硅襯底或?qū)⒂瓉硪?guī)模化的商業(yè)應(yīng)用。
